楼主:Xchemical 时间:2013-3-18 14:36

芯片反向设计(抄芯片,克隆芯片,集成电路反向设计)的概念是对已有的集成电路芯片进行完全仿制设计,或在原有芯片的基础上进行部分改动设计然后依据现有工艺线的设计规则要求重新流片,可以通过对原有芯片进行压缩面积、更改更细线宽,从而达到降低芯片成本的要求。



因有些IC已停产,但市场又有需求,此时只有重新开发此芯片,捷径之一就是参考原来的芯片,进行再次开发;福瑞创新可根据客户提供样品进行芯片解剖、分层拍照、芯片电路提取和分析、版图提取和重绘等技术服务

门阵列芯片替代解决方案:1、通过反向的方法得到原芯片的内部电路、底层器件等连接关系,然后通过现有FPGA的方式烧录后替代原芯片,此种方法是开发周期短,能够短时间内提供给客户所需的芯片;缺点:第一、如果遇到门阵列内部芯片有特殊存储器、寄存器等情况,导致某些功能无法描述的问题,从而使得FPGA无法替代;第二FPGA替代芯片的采购成本问题。 2、通过芯片反向、提取电路、重新绘制版图,在依据现有工艺线的设计规则要求变更芯片工艺线宽、压缩面积的后流片方式解决,尽管此种方法相对于FPGA开发周期较长、流片费用相对较高,但是从芯片的长远采购来看,随着芯片的用量增加相对单个芯片的价钱越低,当然就需要芯片要有一定的用量。

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1 楼:sgf614 时间:2013-4-06 18:19:17
这个真的不错啊,支持
2 楼:wbwei_06 时间:2013-5-06 10:33:45
这个很好,******~
3 楼:Xchemical 时间:2013-6-24 14:57:26
克隆芯片(抄芯片)设计流程
◆ 腐蚀
-塑料封装外壳的腐蚀,可看到第一层金属层
     一般采用98%的硫酸加热蒸煮
-金属铝层的腐蚀,可看到多晶和有源区
     采用热磷酸
-有多层金属时,去除一层金属后需要用氢氟酸去二氧化硅
-去多晶硅,染色看显现 P阱和N阱
-其它细节处理,纵向结构解剖(SEM扫描电镜/TEM透射电镜或掺杂浓度曲线测试,一般需要IC解剖不作,都是标准工艺,分立器件一般需要做)
◆ 照相拼图
-每腐蚀一层,分区域照相
-每一层金属拼合图,每一层多晶拼合图,有源区拼合图
-把拼合图处理成软件可识别的图像文件
◆ 提取、整理电路
-数字电路需要归并同类图形,例如与非门、或非门、触发器等,同样的图形不要分析多次
-提出的电路用电路绘制软件绘出,按照易于理解的电路布置,使其他人员也能看出你提取电路的功能
-提取电路的速度完全由提图人员经验水平确定
-各组件连接起来,如果不整理电路是看不出各模块的连接及功能的
◆ 分析电路
-提取出的电路整理成电路图,并输入几何参数(MOS为宽长比)
-通过你的分析,电路功能明确,电路连接无误
◆ 仿真验证,电路调整
-对电路进行功能仿真验证
-模拟电路一般采用Hspice、Cadence等工具,小规模数字电路采用Cadence,Hsim等工具
-根据新的工艺调整电路
-调整后进行验证
◆ 版图绘制验证及后仿真
-根据新的工艺文件绘制版图
-版图DRC、LVS,寄生参数提取(Dracula,Assura,Calibre等工具)
-提取的网表作仿真验证,并与前仿结果对比
-版图导出GDS文件,Tape out

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